Ab initio study of oxygen segregation in silicon grain boundaries: The role of strain and vacancies
Domaines
Sciences de l'ingénieur [physics]Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|
Accord Elsevier CCSD : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03493384
Soumis le : jeudi 15 décembre 2022-12:10:58
Dernière modification le : jeudi 12 décembre 2024-03:45:57
Archivage à long terme le : jeudi 16 mars 2023-20:11:42